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      艾賽斯igbt模塊的好壞判斷技巧速掌握!

      發布時間: 2022-10-09  點擊次數: 327次
         艾賽斯igbt模塊是電壓型控制,具有輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優點。igbt的發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標,特別是發展高壓變頻器的應用,簡化其主電路,減少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,簡化調試工作等,都與igbt有密切的內在關聯。
        如何判斷艾賽斯igbt模塊的好壞?
        1.判斷極性
        首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發射極(E)。
        2.判斷好壞
        將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接igbt的集電極(C),紅表筆接igbt的發射極(E),此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時igbt被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極(G)和發射極(E),這時igbt被阻斷,萬用表的指針回零。此時即可判斷igbt是好的。
        3.任何指針式萬用表皆可用于檢測igbt
        注意判斷igbt好壞時,一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低,檢測好壞時不能使igbt導通,而無法判斷igbt的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。




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